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VGF坩堝
一．產品概述
VGF是目前國際上生長GaAs和InP等化合物半導體單晶的主流技術。
VGF坩堝為垂直梯度凝固法（VGF）生長化合物單晶的容器。
二．產品特點
純度高達99.999%
與熔融金屬不潤濕
熱導率可控，有效提高成晶率
優異的抗熱震性
易清洗，可重復使用
化學惰性，在高溫下與酸、堿不發生化學反應
VGF是目前國際上生長GaAs和InP等化合物半導體單晶的主流技術。
VGF坩堝為垂直梯度凝固法（VGF）生長化合物單晶的容器。
二．產品特點
純度高達99.999%
與熔融金屬不潤濕
熱導率可控，有效提高成晶率
優異的抗熱震性
易清洗，可重復使用
化學惰性，在高溫下與酸、堿不發生化學反應
- 規格說明
- 性能參數
- 產品應用
- 文檔下載
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Catalog No Application Inside Diameter Height Thickness BV-2 VGF 2" 10" 0.035" BV-3 VGF 3" 10" 0.035" BV-4 VGF 4" 8" 0.035" BV-5 VGF 5" 8" 0.04" BV-6 VGF 6" 7" 0.04" BV-8 VGF 8" 20" 0.08" *此表為典型坩堝規格，如需其他規格尺寸，可以定制
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PBN性能參數表
Properties Units Values Density g/cm3 1.95-2.20 Tensile Strength MPa 112 Bending Strength MPa 173 Compression Strength MPa 154 Young's Modulus GPa 18 Thermal Conductivity W/m°C "a" 60 "c" 2 Specific Heat J/g·℃ 0.90（RT） Resistivity Ω.cm 2×1015 Dielectric Strength D.C. volts/mm 2×1015 Dielectric Constant "c" 3.07 Metal Impurity Content ppm <10
