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LEC坩堝
一．產品概述
LEC法是用液態覆蓋劑封閉熔體控制揮發組分實現半導體晶體生長的方法。
LEC坩堝主要作為液封直拉法（LEC）技術生長單晶中的生長容器。
LEC法是用液態覆蓋劑封閉熔體控制揮發組分實現半導體晶體生長的方法。
LEC坩堝主要作為液封直拉法（LEC）技術生長單晶中的生長容器。
二．產品特點
純度高達99.999%
與熔融金屬不潤濕純度高達99.999%
熱導率可控，有效提高成晶率
優異的抗熱震性
易清洗，可重復使用
化學惰性，在高溫下與酸、堿不發生化學反應
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Catalog No Application Inside Diameter Height Thickness BL-3 LEC 3" 3" 0.03" BL-4 LEC 4" 4" 0.035" BL-5 LEC 5" 5" 0.035" BL-6 LEC 6" 6" 0.04" BL-7 LEC 7" 7" 0.04" BL-8 LEC 8" 8" 0.04" BL-14 LEC 14" 14" 0.08" *此表為典型坩堝規格，如需其他規格尺寸，可以定制
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PBN性能參數表
Properties Units Values Density g/cm3 1.95-2.20 Tensile Strength MPa 112 Bending Strength MPa 173 Compression Strength MPa 154 Young's Modulus GPa 18 Thermal Conductivity W/m°C "a" 60 "c" 2 Specific Heat J/g·℃ 0.90（RT） Resistivity Ω.cm 2×1015 Dielectric Strength D.C. volts/mm 2×1015 Dielectric Constant "c" 3.07 Metal Impurity Content ppm <10
