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MBE坩堝
一.產品概述
分子束外延(MBE)法主要用于晶體的外延生長。
MBE坩堝在分子束外延(MBE)法中主要用作束源坩堝。
二.產品特點
純度高達99.999%
分子束外延(MBE)法主要用于晶體的外延生長。
MBE坩堝在分子束外延(MBE)法中主要用作束源坩堝。
二.產品特點
純度高達99.999%
高溫下放氣率極低
厚度均勻,加熱一致性好
優異的熱導率和抗熱震性
易清洗和反復使用
易清洗和反復使用
化學惰性,在高溫下與酸、堿不發生化學反應
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PBN性能參數表
Properties Units Values Density g/cm3 1.95-2.20 Tensile Strength MPa 112 Bending Strength MPa 173 Compression Strength MPa 154 Young's Modulus GPa 18 Thermal Conductivity W/m°C "a" 60 "c" 2 Specific Heat J/g·℃ 0.90(RT) Resistivity Ω.cm 2×1015 Dielectric Strength D.C. volts/mm 2x1015 Dielectric Constant "c" 3.07 Metal Impurity Content ppm <10